Numéro de produit du fabricant:
TSM250N02DCQ RFG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM250N02DCQ RFG-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 5.8A (Tc) 620mW (Tc) Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Inventaire:
18004 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12899798
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SOUMETTRE
TSM250N02DCQ RFG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
775pF @ 10V
Puissance - Max
620mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-VDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TDFN (2x2)
Numéro de produit de base
TSM250
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
TSM250N02DCQ RFGCT
TSM250N02DCQ RFGTR
TSM250N02DCQRFGCT
TSM250N02DCQ RFGCT-DG
TSM250N02DCQRFGDKR
TSM250N02DCQRFGTR
TSM250N02DCQ RFGDKR
TSM250N02DCQ RFGTR-DG
TSM250N02DCQ RFGDKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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